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IRF6710S2TR1PBF中文资料

IRF6710S2TR1PBF图片

IRF6710S2TR1PBF外观图

  • 大小：299.74KB
  • 厂家：IRF
  • 描述：DirectFET Power MOSFET
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.9 毫欧 @ 12A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.4V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1190pF @ 13V
  • 功率 - 最大：1.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等容 S1
  • 供应商设备封装：DIRECTFET S1
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRF6710S2TR1PBFTR

IRF6710S2TR1PBF供应商

更新时间:2023-01-26 06:58:20
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